在掃描電鏡（SEM）中，樣品充電主要發(fā)生在非導電或低導電材料表面，因為入射電子無法及時導走，逐漸積累形成靜電電荷，導致圖像亮度變化、漂移甚至失真。要避免這種現象，可以從樣品制備、成像條件和設備設置三個方面著手：

1. 樣品制備階段

導電鍍膜：

在樣品表面均勻噴鍍一層導電材料（如金、金鈀合金、碳），厚度一般在 5–20 nm，既能導電又不會顯著遮擋細節(jié)。

導電粘接：

用導電膠帶、導電銀漿將樣品固定在樣品臺上，并保證鍍膜層與樣品臺接觸良好，形成導電通路。

去除絕緣雜質：

避免樣品表面有油污、灰塵、膠水等非導電物質覆蓋。

2. 成像條件優(yōu)化

降低加速電壓：

充電現象在高電壓下更明顯，適當降低加速電壓（如從 15 kV 降到 3–5 kV）可減少電子注入量。

降低束流：

減小束流，減少單位時間進入樣品的電子數量。

縮短掃描時間：

盡量避免長時間在同一區(qū)域停留，減少電荷累積。

3. 設備功能輔助

使用低真空模式（Variable Pressure SEM / Environmental SEM）：

在樣品腔中引入少量氣體（如水蒸氣），電子束會電離氣體分子，形成的離子可中和樣品表面電荷。

電子/離子中和器：

部分掃描電鏡配有中和裝置，通過低能電子或離子流消除樣品表面電荷。