掃描電鏡（SEM）中常見的成像模式有多種，每種模式用于不同的分析目的，下面是一些常見的成像模式：

1. 二次電子成像模式（SEI, Secondary Electron Imaging）

特點：二次電子成像模式是掃描電鏡中常見的成像模式，主要通過探測樣品表面發射的二次電子來形成圖像。

用途：該模式提供樣品表面的高分辨率圖像，適用于觀察表面形貌、微觀結構和表面特征。

優點：可以獲得細致的表面細節，分辨率高，適合形貌分析。

2. 背散射電子成像模式（BSE, Backscattered Electron Imaging）

特點：背散射電子成像模式探測從樣品內部反射回來的電子。這些電子是高能電子與樣品原子發生碰撞后散射回來的。

用途：適用于分析樣品的元素組成和結構，尤其用于區分不同材料的對比度或顯示不同區域的密度差異。

優點：通過背散射電子的不同強度，能夠反映材料的化學成分和結構異質性。

缺點：分辨率相對二次電子成像模式較低。

3. 復合成像模式（Composite Imaging）

特點：復合成像模式結合了二次電子成像和背散射電子成像的優點，能夠同時展示樣品的表面形貌和元素對比信息。

用途：適用于需要同時獲取形貌和化學成分信息的樣品分析。

優點：可以同時獲得形貌和成分信息，便于多維度的樣品分析。

4. X射線能譜成像（EDS, Energy Dispersive X-ray Spectroscopy）

特點：在掃描電鏡中，電子束激發樣品發射特征X射線，X射線能譜分析（EDS）可以用來定量或定性分析樣品的元素組成。

用途：用于元素分析和成分映射。

優點：能夠檢測并確定樣品的化學成分，適合用于元素分布圖譜的生成。

5. 電子背散射衍射成像模式（EBSD, Electron Backscatter Diffraction）

特點：EBSD模式用于分析材料的晶體結構、晶粒取向、晶界和相組成。它通過分析背散射電子的衍射圖譜來提供樣品的晶體學信息。

用途：用于晶體結構分析、晶粒取向、材料的相成分以及應力分析等。

優點：能夠詳細分析晶體學結構和材料的微觀組織。

6. 場發射掃描電鏡（FESEM, Field Emission SEM）

特點：場發射掃描電鏡使用場發射電子槍（FEG）代替傳統的熱發射電子槍，提供更高的電子束亮度和更小的電子束直徑。

用途：適用于高分辨率圖像的獲得，特別是在觀察納米級別的細節時。

優點：高分辨率和更好的成像質量，適合觀察納米結構和微小樣品。

7. 低真空成像模式（LV, Low Vacuum Imaging）

特點：低真空成像模式下，掃描電鏡的樣品室壓力較高，允許在更高的環境壓力下進行成像，而不是常規的高真空模式。

用途：適用于非導電樣品和生物樣品，減少了樣品的導電處理需求。

優點：無需導電涂層，適用于非導電樣品。

8. 雙模態成像（Dual Mode Imaging）

特點：在雙模態成像模式下，掃描電鏡通過同時使用二次電子和背散射電子探測器，來實現同時觀察樣品的表面形貌和成分信息。

用途：適合進行形貌與成分的同時觀察和分析。

優點：能夠獲得更多的樣品信息，進行綜合性分析。

以上就是澤攸科技小編分享的掃描電鏡中常見的成像模式有哪些的介紹。更多掃描電鏡產品及價格請咨詢