選擇掃描電鏡 (SEM) 的掃描速度時，需要在圖像質量、分辨率、信噪比和樣品損傷之間進行權衡。以下是詳細的選擇策略和考慮因素：

1. 掃描速度的定義與常用檔位

掃描速度 (Scan Speed): 指電子束在樣品表面移動的速度，通常以幀率 (Frames per Second, FPS) 或 像素駐留時間 (Dwell Time, μs/px) 表示。 高速掃描: 短駐留時間 (如 1-10 μs/px) 

中速掃描: 中等駐留時間 (如 10-50 μs/px) 

低速掃描: 長駐留時間 (如 50-200 μs/px) 

2. 選擇掃描速度的關鍵因素

 2.1 樣品類型

導電樣品 (如金屬、部分半導體) : 中速至高速掃描。 

原因: 導電樣品不易充電，信噪比較高，適合快速掃描節省時間。 

非導電樣品 (如陶瓷、聚合物、生物材料) : 低速掃描。 

原因: 長駐留時間有助于提高信噪比，但需注意充電效應。 

處理措施: 低真空模式、鍍金/碳膜、涂導電漆。 

2.2 分辨率需求

高分辨率成像 (如納米尺度細節) : 低速掃描（駐留時間 > 50 μs/px）。 

原因: 增加信號累積，提高圖像細節與對比度。 

常規分辨率成像 (如微米尺度觀察) : 中速掃描（10-50 μs/px）。 

原因: 兼顧細節與效率。 

2.3 信噪比 (Signal-to-Noise Ratio, SNR)

高信噪比要求 (如微弱信號樣品) : 低速掃描，甚至考慮幀疊加 (Frame Integration) 方法。 

原因: 延長駐留時間能減少噪聲影響。 

信噪比要求一般 (如高原子序數樣品) : 中速掃描即可滿足要求。 

2.4 樣品損傷與輻照效應

易受電子束損傷的樣品 (如有機物、生物樣品、薄膜): 高速掃描（1-10 μs/px）。 

原因: 減少總電子劑量，避免表面燒蝕與變形。 

不易損傷的樣品 (如金屬、陶瓷) : 中速或低速掃描，可根據信噪比調整。 

3. 其他影響掃描速度的因素

3.1 加速電壓 (Acceleration Voltage)

高電壓 (如 15-30 keV): 中速或高速掃描。 

原因: 穿透能力強，信號較強，適合快速掃描。 

低電壓 (如 1-5 keV): 低速掃描。 

原因: 表面敏感但信號弱，需延長駐留時間以提高信噪比。 

3.2 探針電流 (Probe Current)

高電流 (如 > 1 nA): 中速掃描。 

原因: 信號強，無需低速。 

低電流 (如 < 100 pA): 低速掃描。 

原因: 需要延長時間以積累信號。

以上就是澤攸科技小編分享的如何選擇掃描電鏡的掃描速度。更多掃描電鏡產品及價格請咨詢