在掃描電鏡 (SEM) 中減少樣品的輻照損傷是保持樣品結(jié)構(gòu)完整性和獲得高質(zhì)量圖像的關(guān)鍵。以下是一些有效的方法來減少輻照損傷：

1. 降低電子束能量

選擇合適的加速電壓: 對于敏感材料（如高分子、薄膜或生物樣品），建議使用較低的加速電壓（通常在 1-5 keV 范圍內(nèi)）。 

低能量電子可以減少樣品表層的充電效應和損傷，同時提高表面信息的分辨率。 

2. 降低電子束電流 (Probe Current)

減少束流強度: 通過降低電子束電流（如使用低探針電流模式），可以減少單位時間內(nèi)的電子劑量，進而降低樣品的輻照損傷。 

適當調(diào)整 Spot Size（束斑大小）以平衡成像質(zhì)量和樣品損傷。 

3. 縮短曝光時間

快速掃描模式: 使用快速掃描（Fast Scan）模式減少單點的電子束駐留時間。 

或者分階段、多次低劑量掃描，之后進行圖像疊加處理，以提高信噪比而非一次性長時間曝光。 

4. 使用低真空或環(huán)境模式

低真空 (Low Vacuum / VP-SEM) 模式: 在低真空條件下，樣品表面氣體的存在可以中和充電效應，并減少電子束對樣品的直接輻照損傷。 

環(huán)境掃描電鏡 (ESEM): 適合含水或生物樣品，能有效減少充電效應和輻照損傷。 

5. 冷凍技術(shù) (Cryo-SEM)

低溫樣品處理: 冷凍樣品可以減少輻照導致的加熱效應和脫氣。 

適合高分子和生物樣品，避免形變、脫水和表面結(jié)構(gòu)破壞。 

6. 選擇適合的檢測模式

二次電子 (SE) vs. 反射電子 (BSE): 二次電子 (SE): 適合低加速電壓，表面信息豐富，能量低，損傷小。 

反射電子 (BSE): 能量高，穿透深，適合內(nèi)部信息，但損傷相對較大。 

建議更多使用 SE 模式，尤其是對于表面敏感的樣品。 

7. 金屬鍍膜處理

導電鍍膜 (如 Au, Pt, C): 在樣品表面進行超薄導電鍍膜可減少充電效應，同時分散電子束能量，降低輻照損傷。 

通常，鍍膜厚度控制在 5-10 nm，以避免影響細微結(jié)構(gòu)的觀測。 

8. 減少充電效應

使用導電膠或?qū)щ娖? 對于非導電樣品，使用導電膠固定或噴涂導電漆可有效減少充電效應引起的損傷。 

接地處理: 保證樣品與臺面之間的良好接地，以減少電荷積累。 

9. 優(yōu)化工作距離 (Working Distance)

適當增加工作距離: 增加工作距離可以減少電子束的入射角和能量密度，降低輻照損傷。 

但要注意與分辨率之間的平衡。 

10. 采用低劑量成像策略

Spot Mode 或 Probe Current Modulation: 采用劑量控制技術(shù)，減少敏感區(qū)域的輻照時間或劑量。 

區(qū)塊掃描 (Patch Scanning): 分塊掃描并逐一合成圖像，減少連續(xù)曝光的熱積累效應。 

11. 后期處理與圖像疊加

圖像疊加 (Frame Integration): 采用多次低劑量掃描，疊加圖像以提高信噪比，避免一次性高劑量掃描。 

降噪處理 (Denoising): 使用軟件算法進行降噪，減少因低劑量成像產(chǎn)生的噪點。 

以上就是澤攸科技小編分享的如何減少掃描電鏡樣品的輻照損傷。更多掃描電鏡產(chǎn)品及價格請咨詢